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20年專注等離子清洗機研發生產廠家
通入四氟化碳作為真空等離子蝕刻機的氣源可以實現蝕刻的功能：
另外物理過程是通過真空等離子蝕刻機對基片表面的轟擊與濺射刻蝕不同的是，這里的物理轟擊，主要是破壞化學鍵和晶格序列，加快反應物的脫附，來促進化學反應過程的進行以及表面非揮發性產物的去除。在等離子刻蝕清洗機ICP的刻蝕過程中，襯底偏壓為真空等離子蝕刻機提供能量，能夠使活性粒子作用于基片表面，其功率大小決定等離子動能的大小，這些高能活性粒子在刻蝕過程中，發揮著重要的作用。
相比于刻蝕前刻蝕后，表面質量有所下降分析其原因，由于ICP刻蝕輝光放電產生的活性粒子擴散到基片表面發生化學反應會生成一些非揮發性產物，來不及脫附沉積到基片表面。另外還有部分離子對基片產生物理轟擊作用，破壞表面晶格陣列使基片表面產生孔洞及麻點導致材料表面質量下降。同時在原基底表面由于存在硅和碳化硅兩相組分其結構不統一。真空等離子蝕刻機刻蝕后的材料表面時兩相分界處、孔洞及麻點等不均勻性，會導致材料表面對光線的散射作用，其中孔洞也會增加材料對光線的吸收致使材料表面反射率降低，表面粗糙度增大。
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