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硅片表層等離子表面處理獲得更好的鍵合效果：
利用等離子體轟擊清洗硅片表面可以提高其表面能量，實現表面附著力的提升。在嚴格控制工藝參數的情況下，利用等離子體激活硅片表面，可以大大提高鍵合強度，產生很少的空洞或間隙，獲得更好的鍵合效果。
硅片的鍵合技術已廣泛應用于傳感器和執行器。但硅片的預鍵合通常是1萬℃在上述高溫條件下退火可達到較高的粘結強度，而高溫容易造成多種問題。
特別是用于制造設備的硅片，高溫條件下硅與其他材料的熱不匹配導致熱應力大，損壞設備，或發生一系列化學反應和缺陷或污染，使設備失效。
低溫鍵合中鍵合強度的顯著提高主要是由于鍵合前等離子體的表面預處理，通過調整表面預處理時間、偏置電壓大小、射頻功率、氣體流動速率等適當的工藝參數，可以避免間隙或孔隙的形成。
等離子表面處理活化通常被稱為干表面活化，主要是利用等離子體的能量和材料表面的物理或化學反應過程來實現清洗、蝕刻和表面活化。在活性等離子體的轟擊下，硅片表面會產生物理化學反應，使被清洗物體表面的物質變成顆粒和氣體物質，通過抽真空排出，達到清洗污染和激活表面的目的。
活化硅片等離子表面處理用O2等離子體轟擊圓片表面，清除有機污染和氧化物，使圓片表面達到高度不規則的多孔結構，使硅片達到超高的鍵合率。
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