誠(chéng)峰電漿清洗設(shè)備厚膜HIC組裝階段的等離子清洗工藝研究：
       誠(chéng)峰電漿清洗設(shè)備是1項(xiàng)新型的清潔工藝，可大量應(yīng)用于微電子加工領(lǐng)域的各個(gè)工藝，尤其是在組裝、封裝過程中，能有效清除電子元件表面的氧化物、有機(jī)物，這對(duì)改善導(dǎo)電劑的粘附性、侵潤(rùn)性、鋁線鍵合強(qiáng)度、金屬殼體封裝可靠性有一定的幫助。

      與PCB、IC等其他組裝封裝形式(HIC)相比，厚膜混合集成電路芯片(HIC)有其本身的特性，具體表現(xiàn)為：中小批量生產(chǎn)多，裝配形式多，布局不規(guī)則等。鑒于這些特性，其在組裝階段的誠(chéng)峰電漿清洗設(shè)備清洗也有特殊要求，而電漿清洗設(shè)備等離子清洗恰好為此提供了較好的解決方案。
以往，通常采用超聲清洗工藝進(jìn)行組裝清洗，雖然這種清洗方法在去除重度有機(jī)沾染和顆粒狀沾染等方面有一定的優(yōu)勢(shì)，但也存在著清洗完整性較差、清洗功率較大容易損傷被清洗物、清洗小尺寸物較困難清洗介質(zhì)成本較高且有污染等諸多缺點(diǎn)。
       鑒于微電子裝配封裝的加工規(guī)模越來(lái)越大，對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量的要求越來(lái)越高，要求在微電子裝配封裝加工過程中采用電漿清洗設(shè)備技術(shù)已迫在眉睫。血漿凈化是一種改善表面活性的一種工藝方法，輸入RF能使氣體電離成含有諸如正離子、負(fù)離子、自由電子等帶電粒子以及中性粒子在正負(fù)電荷相同的等離子態(tài)。這類電漿體是通過化學(xué)和物理作用在被清潔設(shè)備表面上進(jìn)行處理，在分子水平上達(dá)到去污、去污的效果。
對(duì)厚膜HIC而言，鑒于其工藝多、工藝復(fù)雜，大部分是典型的被氧化污染和有機(jī)沾污。離子清洗法可改善粘結(jié)界面的性能，提高粘結(jié)質(zhì)量的完整性和可靠性。采用氬氣電漿清洗設(shè)備清洗能夠有效去除芯片、片基表面的氧化物。
       電漿清洗設(shè)備工藝，可以去除片基表面的氧化物和有機(jī)物沾污，提高片基以及電子器件粘合區(qū)的侵潤(rùn)性和活力，有利于提高元件的粘合強(qiáng)度，減小片基與導(dǎo)電粘合材料間的接觸電阻。
經(jīng)過電漿清洗設(shè)備處理后的厚膜HIC，可以有效提高鍵合、元件粘合的可靠性。針對(duì)相對(duì)性完善的鍵合、粘合工藝，等離子清洗針對(duì)厚膜HIC質(zhì)量的提升，挺大程度上反映在提高加工的完整性，使電路具有更高的可靠性。