用CRF等離子體清洗設備對物件表層進行活化和清洗的三種常用氣體的區別：
1)AR和H2的相混應用不僅可以增加焊盤的粗糙度，還能夠有效清理焊盤表層的有機污染物質，還能夠修復表層的輕微氧化，廣泛應用于半導體包裝、SMT等行業。

2)H2類似于O2，它是一種高活性氣體，可以激活和清潔表層。氫和氧的區別主要是反應后形成的活性基團不同。與此同時，氫有還原性，可用來清理金屬表層的微氧化層，不容易破損表層敏感的有機層。所以，它廣泛應用于微電子、半導體和電路板制造業。由于氫是一種危險氣體，在沒有電離的情況下與O2結合時會自爆，所以在等離子體清洗設備中通常嚴禁相混2種氣體。氫等離子體在真空等離子體狀態下呈紅色，類似于氬等離子體，在相同的放電環境下略深于氬等離子體。
3)N2由等離子體清洗設備電離形成的等離子體可與部分分子結構發生關鍵反應，也是一種活性氣體，但與氧氣和氫氣相比，其粒子較重，通常在等離子體清洗機應用中定義為活性氣體氧氣、氫氣和惰性氣體氬氣之間的氣體。在CRF等離子體清洗設備的清洗和活化中，可以達到一定的轟擊和腐蝕效果，防止部分金屬表層氧化。N2與其他氣體組合形成的等離子體通常用來某些特殊材料的處理。真空等離子體清洗設備的氮等離子體也是紅色的，在相同的放電環境下，氮等離子體比氬等離子體和氫等離子體更亮。